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onsemi シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、フットプリントが小さく、コンパクトで効率的な設計向けに設計されています。伝導損失とドライバ損失を最小限に抑える低RDS（ON）、低QG 、および静電容量を備えたパワーMOSFETです。これらのMOSFETは、40V、60V、80Vドレイン・ソース電圧および±20Vゲート・ソース電圧が利用可能です。onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、鉛フリーおよびRoHS準拠デバイスです。

特徴

  • 非常に小さいフットプリント（5mm x 6mm）でコンパクトなデザインが可能
  • 伝導損失を最小化する低RDS (on)
  • ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量
  • LFPAK4パッケージ、業界標準
  • 鉛フリー
  • RoHS準拠

仕様

  • 40V、60V、または80Vドレイン－ソース間絶縁破壊電圧
  • 連続ドレイン電流: 14A～253A
  • ドレイン－ソース間on抵抗：1.43mΩ～67mΩ
  • ゲート－ソース間閾値電圧 ：2V～4V
  • 電力損失: 23W～194W
  • 最高動作温度: +175°C

簡略ブロック図

ブロック図 - onsemi シングルNチャンネルパワーMOSFET
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部品番号 データシート 説明
NTMFS4D7N04XMT1G NTMFS4D7N04XMT1G データシート MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
NTTFSSCH0D7N02X NTTFSSCH0D7N02X データシート MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN
NTTFSSH1D3N04XL NTTFSSH1D3N04XL データシート MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2
NVMFWS1D3N04XMT1G NVMFWS1D3N04XMT1G データシート MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
NVMFWS0D63N04XMT1G NVMFWS0D63N04XMT1G データシート MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
NTTFS1D4N04XMTAG NTTFS1D4N04XMTAG データシート MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE
NTTFS4D9N04XMTAG NTTFS4D9N04XMTAG データシート MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XMT1G データシート MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
NVMFWS0D6N04XMT1G NVMFWS0D6N04XMT1G データシート MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
NVMFWS1D1N04XMT1G NVMFWS1D1N04XMT1G データシート MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
公開: 2023-12-20 | 更新済み: 2025-10-30