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onsemi T10 低/中電圧MOSFET

onsemi T10 低/中電圧MOSFETは、40Vおよび80VクラスのシングルNチャネルパワーMOSFETであり、性能の向上、システム効率の向上、および高い電力密度を実現しています。これらのパワーMOSFETは、導通損失を最小限に抑える低RDS(on)と、ドライバ損失を最小限に抑える低容量を特徴としています。T10低/中電圧MOSFETは、低いQRRとソフトリカバリーのボディダイオードを備えています。これらのMOSFETはRoHSに準拠しており、鉛フリー、ハロゲンフリー、BFRフリーです。代表的な用途には、DC-DCおよびAC-DCコンバータにおける同期整流（SR）、絶縁型DC-DCコンバータの一次側スイッチ、バッテリー保護、およびモーター駆動などがあります。

特徴

  • 導通損失を低減する低RDS（on）特性
  • ドライバ損失の最小化による低キャパシタンス
  • 低QRR かつソフトリカバリ特性を備えたボディダイオード
  • 40Vおよび80Vドレイン-ソース電圧
  • 動作接合部および保存温度範囲：-55°C～175°C
  • 半田付けリード温度：260°C
  • 鉛フリー/ハロゲンフリー/BFRフリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • DC/DCおよびAC/DCの同期整流 (SR)
  • 絶縁型DC/DCコンバータの一次側（メインスイッチ）
  • バッテリ保護
  • モータドライブ

NチャネルMOSFET

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部品番号 データシート 下降時間 順方向トランスコンダクタンス - 最小 Id - 連続ドレイン電流 Pd - 電力損失 Qg - ゲート電荷 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース 上昇時間 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Vgs - ゲート-ソース間電圧 パッケージ化 パッケージ/ケース RoHS - マウサー
NTMFS1D7N04XMT1G NTMFS1D7N04XMT1G データシート 17 ns 77 S 154 A 75 W 29 nC 1.65 mOhms 13 ns 10 ns 7 ns 40 V 3.5 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTTFS5D6N08XLTAG NTTFS5D6N08XLTAG データシート 3 ns 113 S 79 A 82 W 14 nC 5.3 mOhms 3 ns 24 ns 10 ns 80 V 2.1 V 20 V Reel WSFN-8 Y
NTBLS1D1N08XTXG NTBLS1D1N08XTXG データシート 152 ns 294 S 299 A 197 W 120 nC 1.1 mOhms 118 ns 40 ns 22 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel H-PSOF-8L Y
NTMFS4D0N04XMT1G NTMFS4D0N04XMT1G データシート 9 ns 32 S 80 A 43 W 12 nC 3.9 mOhms 8 ns 10 ns 7 ns 40 V 3.5 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTMFS4D5N08XT1G NTMFS4D5N08XT1G データシート 30 ns 61 S 94 A 82 W 15 nC 4.5 mOhms 24 ns 16 ns 11 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTMFS6D2N08XT1G NTMFS6D2N08XT1G データシート 24 ns 48 S 73 A 68 W 19 nC 6.2 mOhms 19 ns 15 ns 10 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel DFN-5 Y
公開: 2025-09-29 | 更新済み: 2025-10-06