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PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

Features

  • 30V drain-source voltage
  • ±20V gate-source voltage
  • Excellent Figure Of Merit (FOM)
  • Logic level drive
  • AEC-Q101 qualified
  • -55°C operating junction and storage temperature range
  • Lead-free in compliance with EU RoHS 2.0
  • Green molding compound as per IEC 61249 standard
  • Available in DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages

Applications

  • Automotive

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部品番号 データシート Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Vgs - ゲート-ソース間電圧 上昇時間 下降時間 Pd - 電力損失
PJQ4524P-AU_R2_002A1 PJQ4524P-AU_R2_002A1 データシート 30 V 80 A 4.4 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 26 ns 5 ns 45.5 W
PJQ4528P-AU_R2_002A1 PJQ4528P-AU_R2_002A1 データシート 30 V 55 A 6.5 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 2 ns 7 ns 32 W
PJQ4526P-AU_R2_002A1 PJQ4526P-AU_R2_002A1 データシート 30 V 65 A 5.5 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 8 ns 23 ns 37.5 W
PJQ4530P-AU_R2_002A1 PJQ4530P-AU_R2_002A1 データシート
PJQ4534P-AU_R2_002A1 PJQ4534P-AU_R2_002A1 データシート 30 V 38 A 9.3 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 7 ns 12 ns 21.4 W
PJQ5524-AU_R2_002A1 PJQ5524-AU_R2_002A1 データシート 30 V 93 A 3.6 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 26 ns 5 ns 50 W
PJQ5524_R2_00201 PJQ5524_R2_00201 データシート 30 V 85 A 3.6 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 26 ns 5 ns 41.7 W
PJQ5526-AU_R2_002A1 PJQ5526-AU_R2_002A1 データシート 30 V 73 A 5 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 8 ns 23 ns 43 W
PJQ5526_R2_00201 PJQ5526_R2_00201 データシート 30 V 68 A 4.9 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 8 ns 23 ns 35.7 W
PJQ5528-AU_R2_002A1 PJQ5528-AU_R2_002A1 データシート 30 V 61 A 6 mOhms 2.5 V - 20 V, 20 V 2 ns 7 ns 31.3 W
公開: 2024-06-05 | 更新済み: 2024-07-23