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Pulse Electronics 高密度1Gigabit PoE/PoE+SMDトランス

Pulse Electronics高密度1Gigabit PoE/PoE+SMDトランスには、140mm2/ポート密度未満が備わっており、信頼性の高い表面実装ボールグリッドアレイ（BGA）が特徴です。これらのトランスは、4-pair PoE +（70W）のDC電力に対応しており、2xNコネクタの背後にフィットするように設計されています。1Gigabit PoE/PoE+SMDトランスには、10/100/1000base-T接続およびIEEE802.3u/abを超過するモジュラ構造が備わっています。これらのトランスは、-40°C ～ 85°Cの温度範囲で動作します。

特徴

  • 140mm2/ポート密度未満のコンパクトなSMT 1Gigabit PoEモジュール
  • 信頼性の高い表面実装ボールグリッドアレイ
  • 標準および工業温度範囲
  • IEEE802.3u/abを超過するモジュラ構造
  • オプションは、4-pair PoE +（70W）のDC電力をサポート
  • 2xNコネクタの後ろにフィットする設計
  • RoHS-6準拠および245°Cのピーク・リフロー温度定格
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部品番号 データシート 周波数範囲 インダクタンス 絶縁電圧 チャンネル数 定格電流 最大 DC 抵抗 最低動作温度 最高動作温度
H5200NL H5200NL データシート 1 MHz to 125 MHz 350 uH 1.5 kV 2 Channel 8 mA 650 mOhms 0 C + 70 C
HX5610NL HX5610NL データシート 1 MHz to 125 MHz 350 uH 1.5 kV 1 Channel 8 mA 650 mOhms - 40 C + 85 C
HX6400NLT HX6400NLT データシート 1 MHz to 125 MHz 150 uH 1.5 kV 4 Channel 10.3 mA 650 mOhms - 40 C + 85 C
H5401NL H5401NL データシート 1 MHz to 125 MHz 350 uH 1.5 kV 4 Channel 8 mA 650 mOhms 0 C + 70 C
HX5401NLT HX5401NLT データシート 1 MHz to 125 MHz 350 uH 1.5 kV 4 Channel 8 mA 650 mOhms - 40 C + 85 C
H5400NL H5400NL データシート 1 MHz to 125 MHz 350 uH 1.5 kV 4 Channel 8 mA 650 mOhms 0 C + 70 C
HX5610NLT HX5610NLT データシート 1 MHz to 125 MHz 350 uH 1.5 kV 1 Channel 8 mA 650 mOhms - 40 C + 85 C
H5201NL H5201NL データシート 1 MHz to 125 GHz 350 uH 1.5 kV 2 Channel 8 mA 650 mOhms 0 C + 70 C
H5200NLT H5200NLT データシート 1 MHz to 125 MHz 350 uH 1.5 kV 2 Channel 8 mA 650 mOhms 0 C + 70 C
H5201NLT H5201NLT データシート 1 MHz to 125 GHz 350 uH 1.5 kV 2 Channel 8 mA 650 mOhms 0 C + 70 C
公開: 2024-04-29 | 更新済み: 2024-05-09