Renesas Electronics SRAMメモリとデータストレージ製品
Renesas Electronics SRAMメモリとデータストレージ製品には、高度ローパワーSRAMテクノロジーを使用した高密度・高性能RAMが搭載されています。これらのSRAM製品は、-40°C ～ 85°Cの広い温度範囲および2.7V ～ 3.6V (3V部品）または4.5V ～ 5.5V (5V部品）電圧範囲で動作します。SRAMメモリとデータストレージ製品には、低電力スタンバイ電力損失も備わっており、メモリアプリケーション、バッテリ動作、バッテリバックアップ設計に適しています。
特徴
- 高度LP-SRAMテクノロジー
- 高い信頼性：極めて低いソフトエラー率 (< 0.1FIT/Mbit)
- 長期サポート、製品Longevityプログラム（PLP）の下で管理
- 低消費電力
- 予備バッテリ動作
- すべての入出力がTTLとの互換性あり
- 共通データI/O
- -40°C～85°Cという広範な動作温度範囲
- 2.7V～3.6V電圧範囲（3V部品）または4.5V～5.5V電圧範囲（5V部品）
アプリケーション
- 産業テレコム
- 社会インフラ・オフィス・オートメーション
- 民生用カーアクセサリ
- 医療/ヘルスケア
Renesas低消費電力SRAMのアプリケーション
優れた性能と信頼性を備えた高度な低消費電力SRAMテクノロジー
その他の資料
公開: 2020-06-09
| 更新済み: 2022-03-11