Renesas Electronics RAA226110低圧側ドライバ
Renesas Electronics RAA226110低圧側ドライバは、絶縁および非絶縁トポロジにおいてエンハンスメントモード窒化ガリウム（GaN）FETを駆動するように設計されています。RAA226110は、6.5V～18Vの電源電圧で動作します。また、単一のデバイスで反転および非反転ゲート駆動の要件を満たすことのできる反転（INB）および非反転（IN）入力があります。
特徴
- 6.5V～18Vの広い動作電圧範囲
- （VDDレベルに関係なく）最高18Vまでのロジック入力
- 反転および非反転入力
- エンハンスメントモードGaN FETを駆動するように最適化済
- 内部5.8V安定化ゲート駆動電圧
- 電源オン/電源オフ速度調整用の独立した出力
- 0.3A、0.75A、2Aの間でプログラミングできるソース電流
- 40mV、80mV、120mVの間で閾値を調整できる過電流保護
- 障害ピンと温度過昇保護
- 動作温度範囲：-40°C～+125°C
- フライバックおよび順方向コンバータ
- ブーストおよびPFCコンバータ
- 二次同期FETドライバ
アプリケーション
- スイッチングモード電源
- GaN FETドライバ・アプリケーション
公開: 2021-09-01
| 更新済み: 2022-03-11