ROHM Semiconductor BD5250G-1TRボルテージディテクタ (リセット) IC
ROHM Semiconductor BD5250G-1TRBD5250G-1TRボルテージディテクタ (リセット) ICは、Nchオープンドレイン出力の自由遅延時間設定CMOSボルテージディテクタICです。このICは、検出電圧は0.9V～5Vまで、0.1Vステップでラインアップされており、85 °Cまでの温度で動作します BD5250G-1TRの主な仕様は、Nano Energy™ 、遅延時間精度 ±30%以内、超低消費電流270nA、出力電流70mAです。このディテクタICは、SSOP5パッケージ（寸法2.90mm x 2.80mm x 1.25mm）で利用できます。BD5250G-1TR ICは、電圧検出を必要とする民生機器に使用されています。
特徴
- Nano Energy™
- Nチャンネルオープンドレイン出力タイプ
- 外付けコンデンサによって制御される遅延時間設定
- 2.90mm x 2.80mm x 1.25mmのSSOP5パッケージでご用意あり
- 電圧検出を必要とする民生機器で使用
仕様
- 検出電圧精度：
- ±1% ±5mV (VDET = 0.9V ~ 1.6V)
- ±0.9% (VDET = 1.7V ~ 5V)
- 出力電流: 70mA
- 動作温度範囲：-40°C～85°C
- 0.1V刻みで0.9V ～ 5V（標準）の電圧範囲を検出
- 270nA（標準）超低電流消費
- ±30%の時間遅延精度（-40°C ～ 85°C、CTピンコンデンサ ≥1nF）
アプリケーション回路図
ブロック図
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公開: 2024-01-29
| 更新済み: 2024-08-26