ROHM Semiconductor BV1Hx ハイサイドスイッチ

ROHM Semiconductor BV1Hx AEC-Q100 PMIC(パワーマネジメント/電源IC)は、CMOS制御ユニットとパワーMOSFETを1チップに集積したハイサイドスイッチです。これらのデバイスは、異常検出時の診断出力機能付きです。BV1Hx PMICは、過電流制限機能、2回路過熱保護 (TSD) 機能、負荷オープン検出機能、低電圧時出力OFF機能、VCC端子のUVLO機能を内蔵しています。BV1HJ045EFJ-Cの過電流制限は5.0A~12.0A です。BV1HL045EFJ-CおよびBV1HAL85EFJの過電流制限は2.5A~最大6.5Aです。

ROHM Semiconductor BV1Hx ハイサイドロードスイッチは、HTSOP-J8パッケージを採用しており、車載およびパワーマネジメント用途向けのAEC-Q100認定済みです。

特徴

  • AEC-Q100認定済み (Grade 1)
  • 制御装置(CMOS)とパワーMOSFETがシングルチップに取り付けられたモノシリック・パワーマネジメントIC
  • 内蔵デュアルサーマルシャットダウン(TSD)回路
    • 接合部温度保護
    • ΔTj保護によって、パワーMOSの突然の温度上昇を検出
  • 内蔵過電流保護機能(OCP)
  • 内蔵サーマルシャットダウン保護機能(TSD)
  • 内蔵オープン負荷検出機能
  • 内蔵ショート-to-VBB検出機能
  • 内蔵低電圧出力オフ機能(UVLO)
  • 内蔵逆バッテリ接続保護
  • 内蔵診断出力
  • 過電流制限
    • BV1HJ045EFJ-C: 5.0A~12.0A
    • BV1HL045EFJ-C: 2.5A~5.5A
  • 低オン抵抗シングルNチャンネルMOSFETスイッチ
  • 動作温度範囲:-40°C~+150°C
  • 4.9mm x 6.0mm x 1.0mm HTSOP-J8パッケージ

アプリケーション

  • 抵抗負荷
  • インダクタンス負荷
  • 容量負荷
  • 電源管理
  • 車載用途
  • 多機能マシンとTV
  • さまざまな電力線の過電流監視

ブロック図

ROHM Semiconductor BV1Hx ハイサイドスイッチ

標準アプリケーション回路

ROHM Semiconductor BV1Hx ハイサイドスイッチ

パッケージ外形

機械図面 - ROHM Semiconductor BV1Hx ハイサイドスイッチ
公開: 2021-03-16 | 更新済み: 2025-07-25