ROHM Semiconductor ガンマ電圧発生器とバッファアンプ

ROHM Semiconductorガンマ電圧発生器とバッファアンプは、シングルチップソリューションが特徴で、高精度10ビットDACが搭載されています。これらの電圧ジェネレータとバッファアンプは、熱シャットダウン回路で構成されています。発生器とアンプはRoHSに準拠しています。これらの電圧発生器とバッファアンプは、広い温度範囲で動作します。電圧レギュレータとバッファアンプは、TFT LCDパネルでの使用に最適です。

特徴

  • 部品数が少ないシングルチップ設計
  • 内蔵10ビットDAC
  • RoHS準拠
  • 内蔵DAC出力バッファアンプ
  • サーマルシャットダウン回路(TSD)
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部品番号 データシート 説明 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 出力電流 動作供給電圧
BD8149MUV-E2 BD8149MUV-E2 データシート 専用電源管理 - PMIC Voltage Detector w/Fixed Delay Time - 25 C + 85 C 4.56 W 50 mA 2.1 V to 18 V
BD81849MUV-CE2 BD81849MUV-CE2 データシート 専用電源管理 - PMIC Gamma Voltage Generated IC with Built-in DAC - 40 C + 105 C 40 mA 2.1 V to 18 V
公開: 2019-11-22 | 更新済み: 2024-02-08