ROHM Semiconductor PBZLx ツェナーダイオード
ROHM Semiconductor PBZLx ツェナーダイオードは最大電力損失1000mW、定電圧制御用途に最適です。高信頼性、DO-214AA (SMB) 小型パワーモールドタイプのパッケージが特長です。PBZLx ツェナーダイオードはRoHS指令に適合しており、-55°C～150°Cの温度内で動作します。
特徴
- 高信頼性
- 小さなパワーモールドタイプ
- シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
- 100mW電力散逸
- 150°Cジャンクション温度
- 保存温度範囲：-55°C ~ 150°C
View Results ( 12 ) Page
| 部品番号 | データシート | Ir - 最大逆漏洩電流 | Pd - 電力損失 | Vz - ツェナー電圧（Zener Voltage） | ツェナー電流 | Zz - ツェナーインピーダンス（Zener Impedance） | 最高動作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBZLTBR1110 |  |
5 uA | 1 W | 110 V | 2 mA | 530 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1120 | |
5 uA | 1 W | 120 V | 2 mA | 620 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1130 | |
5 uA | 1 W | 130 V | 2 mA | 1.1 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR162 | |
5 uA | 1 W | 62 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR175 | |
5 uA | 1 W | 75 V | 2 mA | 250 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1100 | |
5 uA | 1 W | 100 V | 2 mA | 430 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1150 | |
5 uA | 1 W | 150 V | 2 mA | 1.25 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR151 | |
5 uA | 1 W | 51 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR156 | |
5 uA | 1 W | 56 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR168 | |
5 uA | 1 W | 68 V | 2 mA | 230 Ohms | + 150 C |
公開: 2025-07-22
| 更新済み: 2025-08-04