ROHM Semiconductor PDZVTRxツェナーダイオード

ROHM Semiconductor PDZVTRxツェナーダイオードは、小さなパワーモールドタイプのダイオードで、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造と高い信頼性が特徴です。これらのツェナーダイオードには、1000mW電力散逸および150°C接合部温度が備わっています。PDZVTRxツェナーダイオードは、-55°C~150°C温度範囲で保管します。これらのツェナーダイオードは、電圧安定化での使用に最適で、エンボステープ・パッケージでご用意があります。

特徴

  • シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
  • 高い信頼性
  • 小さなパワーモールドタイプ
  • 100mW電力散逸
  • 接合部温度: 150°C
  • ストレージ温度範囲: -55°C~150°C

アプリケーション

  • 電圧安定化

性能グラフ

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部品番号 データシート 説明
PDZVTR2.0B PDZVTR2.0B データシート ツェナーダイオード Zener Diode 2.0V 1000mW Surface Mount
PDZVTR2.2B PDZVTR2.2B データシート ツェナーダイオード Zener Diode 2.2V 1000mW Surface Mount
PDZVTR2.7B PDZVTR2.7B データシート ツェナーダイオード Zener Diode 2.7V 1000mW Surface Mount
PDZVTR3.0B PDZVTR3.0B データシート ツェナーダイオード Zener Diode 3.0V 1000mW Surface Mount
PDZVTR3.3B PDZVTR3.3B データシート ツェナーダイオード Zener Diode 3.3V 1000mW Surface Mount
公開: 2021-02-26 | 更新済み: 2022-03-11