特徴
- シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
- 高い信頼性
- 小さなパワーモールドタイプ
- 100mW電力散逸
- 接合部温度: 150°C
- ストレージ温度範囲: -55°C~150°C
アプリケーション
- 電圧安定化
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| PDZVTR2.0B | ![]() |
ツェナーダイオード Zener Diode 2.0V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR2.2B | ![]() |
ツェナーダイオード Zener Diode 2.2V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR2.7B | ![]() |
ツェナーダイオード Zener Diode 2.7V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR3.0B | ![]() |
ツェナーダイオード Zener Diode 3.0V 1000mW Surface Mount |
| PDZVTR3.3B | ![]() |
ツェナーダイオード Zener Diode 3.3V 1000mW Surface Mount |
公開: 2021-02-26
| 更新済み: 2022-03-11

