ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch車載MOSFET
ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch 車載用MOSFETは、低オン抵抗のMOSFETです。G-S保護ダイオードを内蔵しています。これらのMOSFETは、AEC-Q101に準拠しており、±1A (ID) のドレイン電流を連続的に流すことができます。QS6Kx MOSFETは、小型表面実装パッケージ（TSMT6）でご用意があります。ROHM Semiconductor QS6Kx MOSFETは、パワースイッチング用途に適しています。
特徴
- 低オン抵抗
- 内蔵G-Sダイオード
- AEC-Q101認定
- 小型表面実装パッケージ（TSMT6）
仕様
- QS6K1FRA
- ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) 30V
- QS6K21FRA
- ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) 45V
- 共通
- ドレイン電流 (ID) ±1A
- 電力損失 (PD) 1.25W
- 動作温度範囲：-55°C～+150°C
QS6K1FRA等価回路
QS6K21FRA内部回路
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| 部品番号 | データシート | 説明 | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | Qg - ゲート電荷 | 上昇時間 | 下降時間 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QS6K1FRATR |  |
MOSFET 0.26Rds(on) 1.7Qg | 30 V | 238 mOhms | 1.5 V | 1.7 nC | 7 ns | 6 ns |
| QS6K21FRATR | |
MOSFET 0.415Rds(on) 1.5Qg | 45 V | 420 mOhms | 1.5 V | 1.5 nC | 8 ns | 7 ns |
公開: 2020-11-18
| 更新済み: 2024-10-29