ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V Nチャンネル車載MOSFET

ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V Nch 車載用MOSFETは、低オン抵抗を実現したMOSFETです。高速スイッチング速度を備えています。ROHM SemiconductorのこのMOSFETは、シンプルな構造のドライブ回路を集積しており、AEC-Q101認定済みです。R6004PND3FRA MOSFETは、ドレイン・ソース間抵抗 (RDS(on)) 1.8Ω、直流ドレイン電流 (ID) ±4A、電力損失 (PD) 65Wが特長です。このMOSFETは、スイッチング電源に最適です。

特徴

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチング速度
  • シンプルな駆動回路
  • 無鉛(リードフリー)メッキ
  • AEC-Q101認定
  • ROHS準拠

仕様

  • ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) 600V
  • ドレイン・ソース間抵抗 (RDS(on)) 1.8Ω (Max)
  • 直流ドレイン電流 (ID) ±4A
  • 電力損失 (PD) 65W
  • 動作温度範囲:-55°C~+150°C
  • DPAK(TO-252)パッケージ

性能グラフ

パフォーマンスグラフ - ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V Nチャンネル車載MOSFET
公開: 2020-11-17 | 更新済み: 2024-10-29