特徴
- 低オン抵抗
- シンプルな駆動回路を実装
- 高速スイッチング速度
- 無鉛メッキ
- AEC-Q101認定
- RoHS準拠
仕様
- R8001CND3FRA
- 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 8.7Ω
- ドレイン電流 (直流) ±1A
- 電力損失 (PD) 36W
- R8002CND3FRA
- 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 4.3Ω
- ドレイン電流 (直流) ±2A
- 電力損失 (PD) 69W
- R8007AND3FRA
- 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 1.6Ω
- 連続ドレイン電流 (直流) ±7A
- 電力損失 (PD) 140W
- 共通
- ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) 800V
- DPAK(TO-252)パッケージでご用意あり
- 動作温度範囲:-55°C~+150°C
内部回路図
性能グラフ
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| 部品番号 | データシート | 説明 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| R8001CND3FRATL | ![]() |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect | 1 A | 8.7 Ohms | 7.2 nC | 36 W |
| R8007AND3FRATL | ![]() |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto | 7 A | 1.6 Ohms | 28 nC | 140 W |
| R8002CND3FRATL | ![]() |
MOSFET TO252 800V 2A N-CH | 2 A | 4.3 Ohms | 12.1 nC | 69 W |
公開: 2020-11-18
| 更新済み: 2024-10-29

