ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL超高速リカバリダイオード

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL超高速リカバリダイオードは、大電流・過負荷容量および低スイッチング損失が備わっているシリコンエピタキシャルプレーナ型構造が特徴です。この超高速リカバリダイオードは、-55°C～150°C温度範囲で保管し、350V繰り返しピーク逆方向電圧が備わっています。RFN10BGE3STLダイオードは、10A平均整流順方向電流、1.5V最高順方向電圧、10μA最大逆方向電流、150°C接合部温度で機能します。このダイオードは、汎用整流での使用に最適です。