ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超高速リカバリダイオード

ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超高速リカバリダイオードは、低スイッチング損失、超低順方向電圧、大電流・過負荷容量が特徴です。この超高速リカバリダイオードには、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造があります。RFNL10BM6SFHTLリカバリダイオードは、600V繰り返しピーク逆方向電圧、600V逆方向電圧、10A平均整流順方向電流で動作します。この超高速リカバリダイオードは、100Aピーク順方向サージ電流、150°C接合部温度で機能し、-55°C~150°C温度範囲で保管します。RFNL10BM6SFHTLダイオードは、PFC切断電流モードの一般的な整流での使用に最適です。

特徴

  • 低スイッチング損失
  • シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
  • 超低順方向電圧
  • 大電流過負荷能力

仕様

  • 600V反復性ピーク逆方向電圧
  • 600V逆電圧
  • 10A(平均)整流順方向電流
  • 100Aピーク順方向サージ電流
  • 接合部温度: 150°C
  • ストレージ温度範囲: -55°C~150°C

機械図面

機械図面 - ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超高速リカバリダイオード
公開: 2021-02-23 | 更新済み: 2022-03-11