ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZ超高速リカバリダイオード

ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZ超高速リカバリダイオードは、超低スイッチング損失および大電流・過負荷容量が特徴です。このリカバリダイオードには、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造が含まれています。RFUH25TB3SNZリカバリダイオードには、350V繰り返しピーク逆方向電圧、10μA逆方向電流、100A非繰り返し順方向サージ電流が備わっています。このリカバリダイオードは、1.4V最高順方向電圧範囲で動作し、-55°C～150°C温度範囲で保管します。RFUH25TB3SNZ超高速リカバリダイオードは、一般的な整流での使用に最適です。