ROHM Semiconductor RFUH5TF6S高速リカバリダイオード

ROHM Semiconductor RFUH5TF6S高速リカバリダイオードは、超低スイッチング損失および大電流・過負荷容量が特徴です。このリカバリダイオードには、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造が含まれています。RFUH5TF6Sリカバリダイオードには、600V繰り返しピーク逆方向電圧、10μA逆方向電流、30A非繰り返し順方向サージ電流が備わっています。このリカバリダイオードは、2.8V最高順方向電圧範囲で動作し、-55°C~150°C温度範囲で保管します。RFUH5TF6S超高速リカバリダイオードは、一般的な整流での使用に最適です。

特徴

  • 超低スイッチング損失
  • 大電流過負荷能力
  • シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
  • 600V反復性ピーク逆方向電圧
  • 10µA逆方向電流
  • 30A非繰り返し順方向サージ電流
  • 2.8V最高順方向電圧
  • ストレージ温度範囲: -55°C~150°C

アプリケーション

  • 汎用整流

機械図面

機械図面 - ROHM Semiconductor RFUH5TF6S高速リカバリダイオード
公開: 2021-02-26 | 更新済み: 2022-03-11