ROHM Semiconductor RH6 NチャネルパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RH6 NチャンネルパワーMOSFETには、低on抵抗が備わっており、小型、高電力、8ピン、表面実装成形パッケージ(HSMT-8) に収められています。RH6 MOSFETは、59W電力損失および-55°C ~ +150°C動作温度範囲が特徴です。RH6 NチャンネルパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。