ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFET
ローム株式会社の RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧100V（VDSS）、および連続ドレイン電流±40A（ID）定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)] は、（最大）13.8mΩ（VGS = 10V、ID = 20A）で、3.3mm x 3.3mm DFN-8（DFN3333T8LSAB）パッケージに収められています。ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA MOSFETは、先進ドライバ支援システム（ADAS）、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。
特徴
- ウェッタブルフランク製品
- AEC-Q101準拠
- 100%アバランシェ試験済み
アプリケーション
- ADAS
- 情報
- ランプ
- 本体
仕様
- ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)]
- （最大）13.8mΩ（VGS = 10V、ID = 20A）
- （最大）19.4mΩ（VGS = 4.5V、ID = 10A）
- 電力損失75W（PD）
- 全ゲート電荷（Qg）
- （標準）19.8nC（VDD = 50V、ID = 10A、VGS = 10V）
- （標準）10.9nC（VDD = 50V、ID = 10A、VGS = 4.5V）
- 接合部温度+175°C（Tj）
回路図
パッケージ図
公開: 2025-07-25
| 更新済み: 2025-08-19