ROHM Semiconductor RJ1x10BBG パワーMOSFET

ローム株式会社の  RJ1x10BBG パワーMOSFETは、低オン抵抗とハイパワーパッケージを特長とするNチャネルパワーMOSFETです。RJ1G10BBG、およびRJ1L10BBGパワーMOSFETは、40Vおよび60Vのドレイン・ソース電圧、 ±280Aおよび ±240Aの連続ドレイン電流、192Wの電力損失を備えています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、RoHSに準拠しています。これらのパワーMOSFETは、無鉛メッキが特徴で、ハロゲンフリー、RgおよびUIS試験を100%完了しています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲内で動作します。代表的なアプリケーションには、スイッチング、モータドライブ、DC/ DCコンバータがあります。