ROHM Semiconductor RN781VM低RFピンダイオード

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) RN781VM低高周波順方向抵抗(RF) ピンダイオードは、特にRFスイッチングおよび減衰アプリケーション用に設計された、コンパクトで高性能なピンダイオードです。低い(最大4.0Ω)順方向抵抗(RF) を備えた 、このローム株式会社(ROHM)ダイオードは、信号損失を最小限に抑え、効率的な信号伝送と高速スイッチングが不可欠な高周波回路に最適です。省スペースのSOD-323FL面実装パッケージに収納されたRN781VMは、合理化されたプリント基板レイアウトと自動化された製造プロセスをサポートします。

このダイオードには、(最大)100VのμA 逆電圧定格が備わっており、最大50mAの順方向電流を扱うことができ、広い動作範囲条件全体で堅牢な性能を提供します。(10mAおよび100MHzで)最大4,0Ωの順方向性抵抗と、(30Vおよび1,0MHzで) 0.4pFの低 ジャンクション静電容量によって、優れた絶縁と高速応答時間に貢献します。順電圧が最大1,0V、逆リーク電流が10μAのローム株式会社(ROHM)RN781VMは、RFスイッチ回路、アテニュエータ、移動体通信機器、信頼性が高く効率的な信号制御を必要とする無線システムに適しています。

特徴

  • 高信頼性
  • 小型モールドタイプ
  • エピタキシャルプレーナ型構造
  • 単一構成
  • 低高周波順抵抗
  • 端子間の低静電容量
  • 表面実装SOD-323FL (SC-90A) パッケージ
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • 自動ゲイン制御回路
  • アンテナアンプとアテニュエータ

仕様

  • 2x端子
  • 最大逆電圧:100V
  • 50mA最大順電流
  • 10mAでの最大順電圧:1,0V
  • 35V、1,0MHzおける端子間の最大静電容量:0.4pF
  • 10mA、100MHzでの最大高周波順方向抵抗:4,0Ω
  • 100Vでの(最大)逆電流:10μA
  • 最高ジャンクション温度:+150°C
  • 2.5mmx1.25mmパッケージ、厚み0.9mm

内部回路

回路図 - ROHM Semiconductor RN781VM低RFピンダイオード
公開: 2025-11-04 | 更新済み: 2026-01-22