ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG 車載用 Pch MOSFET
ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG 車載用 Pch Small Signal MOSFETは、低オン抵抗を提供し、G-Sダイオードを内蔵しています。このMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) -30V、直流ドレイン電流 (ID) ±3A、電力損失 (PD) 1.25Wを備えています。RRQ030P03HZG MOSFETは、鉛フリー外装めっきが特長で、AEC-Q101に準拠しています。ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG MOSFETは、小型面実装パッケージ (TSMT6) を採用し、スイッチング用途に最適です。特徴
- 低オン抵抗
- 内蔵G-Sダイオード
- TSMT6小型表面実装パッケージ
- リードフリー・リードメッキ
- RoHS適合
- AEC-Q101準拠
仕様
- ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) -30V
- 最大静的ドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(on)) 75mΩ
- 直流ドレイン電流 (ID) ±3A
- 電力損失 (PD) 1.25W
- 動作時のジャンクション温度範囲 -55°C~+150°C
内部回路図
性能グラフ
公開: 2020-11-18
| 更新済み: 2024-10-29
