ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG 車載用 Pch MOSFET

ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG 車載用 Pch Small Signal MOSFETは、低オン抵抗を提供し、G-Sダイオードを内蔵しています。このMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) -30V、直流ドレイン電流 (ID) ±3A、電力損失 (PD) 1.25Wを備えています。RRQ030P03HZG MOSFETは、鉛フリー外装めっきが特長で、AEC-Q101に準拠しています。ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG MOSFETは、小型面実装パッケージ (TSMT6) を採用し、スイッチング用途に最適です。

特徴

  • 低オン抵抗
  • 内蔵G-Sダイオード
  • TSMT6小型表面実装パッケージ
  • リードフリー・リードメッキ
  • RoHS適合
  • AEC-Q101準拠

仕様

  • ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) -30V
  • 最大静的ドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(on)) 75mΩ
  • 直流ドレイン電流 (ID) ±3A
  • 電力損失 (PD) 1.25W
  • 動作時のジャンクション温度範囲 -55°C~+150°C

内部回路図

ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG 車載用 Pch MOSFET

性能グラフ

パフォーマンスグラフ - ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG 車載用 Pch MOSFET
公開: 2020-11-18 | 更新済み: 2024-10-29