ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG小信号車載MOSFET

ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Small Signal 車載用MOSFETは、低オン抵抗を実現したMOSFETです。G-S保護ダイオードを内蔵しています。これらのMOSFETは、-30Vのドレイン・ソース間電圧 (VDSS) および1Wの電力損失 (PD) が特長です。RRR030P03HZG MOSFETは±3Aのドレイン電流 (直流) (ID)、およびRRR040P03HZG MOSFETは±4AのID が特長です。これらのMOSFETは、AEC-Q101に準拠しており、無鉛めっきを施してあります。ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG MOSFETは、小型面実装 (TSMT3) パッケージを採用しており、DC/DCコンバータに最適です。

特徴

  • 低オン抵抗
  • 内蔵G-S保護ダイオード
  • リードフリー・リードメッキ
  • AEC-Q101認定
  • RoHS準拠
  • 小型表面実装パッケージ(TSMT3)

仕様

  • RRR030P03HZG
    • 最大静的ドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(on)) 75mΩ
    • 直流ドレイン電流 (ID) ±3A
  • RRR040P03HZG
    • 最大静的ドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(on)) 45mΩ
    • 直流ドレイン電流 (ID) ±4A
  • 共通
    • ドレイン・ソース間電圧 (VDSS) -30V
    • 電力損失 (PD) 1W
    • 動作温度範囲:-55°C~+150°C

内部回路図

ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG小信号車載MOSFET

性能グラフ

パフォーマンスグラフ - ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG小信号車載MOSFET
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部品番号 データシート 説明 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷 上昇時間 下降時間
RRR030P03HZGTL RRR030P03HZGTL データシート MOSFET MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T 3 A 75 mOhms 5.2 nC 18 ns 35 ns
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL データシート MOSFET MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T 4 A 45 mOhms 10.5 nC 30 ns 45 ns
公開: 2020-11-18 | 更新済み: 2024-10-29