ROHM Semiconductor RS7パワーMOSFET
ROHM Semiconductor RS7 パワーMOSFETは、モータドライブ、スイッチングアプリケーション、およびDC/DCコンバータで高効率性能を発揮するように設計されています。低オン抵抗、堅牢なハイパワーパッケージ（DFN5060T8LSHAAE）、および鉛フリーめっきを特長とするこれらのROHM Semiconductor RS7 MOSFETは、RoHSに準拠し、ハロゲンフリーです。各ユニットは、100% RgおよびUIS試験を完了しており、優れた信頼性と性能を保証します。
特徴
- 低オン抵抗
- 高電力パッケージ
- 無鉛メッキおよびRoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% RgおよびUIS試験済
アプリケーション
- スイッチング
- モータドライブ
- DC/DCコンバータ
仕様
- ゲート－ソース閾値電圧オプション：2.5Vまたは4V
- ゲート電荷 49nC～145nC
- ドレイン-ソース間オン抵抗 [RDS(on)] 0.64mΩ～8.3mΩ(Max)
- ±20Vゲート-ソース電圧
- 消費電力 (PD) 160W～217W
- ドレイン電流 (直流) (ID) 150A～445A
- 動作温度範囲 -55°C～+150°C/+175°C
パッケージ外形図
内部回路
公開: 2025-01-09
| 更新済み: 2025-11-21