ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFETは、低ON抵抗、内蔵G-S保護ダイオード、無鉛リードメッキが特徴です。このMOSFETは、TUMT3小型表面実装パッケージでご用意があり、AEC-Q101の認定を取得しています。RTF016N05FRA MOSFETは、45Vドレイン-ソース電圧、±1.6A連続ドレイン電流、±6.4Aパルスドレイン電流に対応します。このMOSFETは、-55°C~150°C接合温度範囲および保管温度範囲で動作します。RTF016N05FRA信号MOSFETは、スイッチングでの使用に最適です。

特徴

  • 低オン抵抗
  • 内蔵G-S保護ダイオード
  • TUMT3小型表面実装パッケージ
  • 無鉛リードめっき
  • RoHS準拠
  • AEC-Q101認定

仕様

  • 45Vドレイン-ソース電圧
  • ±1.6A連続ドレイン電流
  • ±6.4Aパルスドレイン電流
  • -55°C~150°C動作接合部温度範囲
  • 0.8W電力散逸
  • 190mΩ最高ON状態抵抗

回路図

ロケーション回路 - ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFET
公開: 2021-02-16 | 更新済み: 2022-03-11