ROHM Semiconductor RV7E035AT Pチャンネル小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT Pch 小信号MOSFETは、低電圧スイッチング用途に最適な小型で高性能な機種です。省スペース対応TUMT3パッケージを採用したRV7E035ATは、スイッチング特性に優れ、低オン抵抗を実現しており、バッテリ駆動機器やポータブル機器に最適です。本MOSFETは、ドレイン-ソース間電圧 (VDS) -30V、ドレイン電流 (ID) -3.5A、低オン抵抗[RDS(on)] がわずか47mΩ (VGS = -4.5V時) が特長で、高効率のパワーマネジメントおよび熱発生の低減に貢献します。ROHM Semiconductor RV7E035ATは、高速スイッチングスピード向けに最適化されています。小型電子機器のロードスイッチ、DC/DCコンバータ、パワーマネジメントIC用途に最適です。堅牢な設計と熱効率により、厳しい環境条件下でも高信頼性の動作を実現できます。
特徴
- パッケージ：リードレス超小型、高放熱ドレインパッド露出型、SMDプラスチックパッケージ (1.2mm × 1.2mm × 0.5mm)
- 低オン抵抗：78mΩ(Max)
- 駆動：-4.5V
- ドレイン-ソース間降伏電圧：-30V(Max)
- 降伏電圧温度係数：-24.1mV/°C(Typ)
- ドレイン電流 (連続)：±3.5A(Max)
- ドレイン電流 (パルス)：±10A(Max)
- ゲート-ソース間電圧：±20V(Max)
- アバランシェ電流 (単発、パルス)：-3.5A(Max)
- アバランシェエネルギー (単発、パルス)：0.46mJ(Max)
- 電力損失：1.1W(Max)
- ドレイン電流 (ゲート電圧ゼロ時)：-1µA(Max)
- ゲート-ソース間漏れ電流：±100nA(Max)
- ゲートしきい値電圧：-1.0V～-2.5V
- ゲートしきい値電圧温度係数：3.3mV/°C(Typ)
- ゲート抵抗：13Ω(Typ)
- 順伝達アドミタンス：2.5S(Typ)
- 静電容量
- 3.5pF入力
- 出力：55pF(Typ)
- 43pF逆方向転送
- 時間(Typ)
- 8,0nsターンオン遅延
- 9,0ns立ち上がり
- 28nsターンオフ遅延
- 8.5ns立ち下がり
- ゲート電荷
- 全ゲート電荷量：4.3nC(Typ)
- ゲート-ソース間電荷：1.6nC(Typ)
- ゲート-ドレイン間電荷：1.5nC(Typ)
- ボディダイオード
- 順方向電流 (連続)：-0.92A(Max)
- 順方向電流 (パルス)：-10A(Max)
- 最大順電圧 -1.2V
- 動作温度範囲：-55°C～+150°C
- 鉛フリー対応済み（めっき）、RoHS対応
アプリケーション
- スイッチング回路
- ハイサイドロードスイッチ
内部回路
公開: 2025-05-20
| 更新済み: 2025-06-04