ROHM Semiconductor RxP120BLFRAパワーMOSFET
ローム株式会社 (ROHM Semiconductor)のRxP120BLFRAパワーMOSFETは、自動車向けのAEC-Q101認定を取得した製品です。本製品は、100Vのドレイン・ソース間破壊電圧、62mΩ の静止時ドレイン・ソースオン状態抵抗、 ±12Aの連続ドレイン電流を備えています。ROHMのRxP120BLFRAパワーMOSFETは、ADASやインフォテインメント、照明、ボディ制御などの自動車用アプリケーションに適しています。
特徴
- AEC-Q101適合
- 低オン抵抗
- ハイパワー、小型モールドパッケージ
- 鉛フリーメッキ
- RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- ウェッタブルフランク
アプリケーション
- ADAS
- インフォテインメント
- 照明
- 本体
仕様
- ドレイン・ソース破壊電圧：100V
- 静的ドレイン・ソースオン抵抗：62mΩ
- 電力損失：40W（RQ3P120BLFRA）、23W（RF9P120BLFRA）
- 連続ドレイン電流：±12A
- パッケージ：DFN2020（RF9P120BLFRA）、HSMT8AG（RQ3P120BLFRA）
その他のリソース
アプリケーション回路
公開: 2025-07-14
| 更新済み: 2025-07-22