ROHM Semiconductorへ戻る

ROHM Semiconductor 超低IRショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor超低IRショットキーバリアダイオードは、175°Cのシリコンエピタキシャル平面構造ダイオードです。これらのダイオードは、200Vの反復ピーク逆電圧、超低逆電流、200Vの逆電圧、高い信頼性が特徴です。超低IR ショットキーバリアダイオードは、スイッチング電源、フリーホイールダイオード、逆接続保護用途に最適です。

特徴

  • シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
  • 反復性ピーク逆電圧（負荷<>
  • 超低逆電流
  • 200V逆電圧
  • 高信頼性
  • 接合部温度：175°C

アプリケーション

  • スイッチング電源
  • フリーホイールダイオード
  • 逆極性保護

接合部からケースまで、正規化された過渡熱インピーダンス（デバイスごと）

パフォーマンスグラフ - ROHM Semiconductor 超低IRショットキーバリアダイオード
View Results ( 16 ) Page
部品番号 データシート If - 順電流（Forward Current） Vr - 逆電圧（Reverse Voltage） Vf - 順電圧（Forward Voltage） Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage） Ir - 逆電流（Reverse Current） Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current） 最高動作温度
RB028RSM20STFTL1 RB028RSM20STFTL1 データシート 12 A 200 V 840 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB028RSM20STL1 RB028RSM20STL1 データシート 12 A 200 V 840 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB038RSM20STFTL1 RB038RSM20STFTL1 データシート 4 A 200 V 790 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB038RSM20STL1 RB038RSM20STL1 データシート 4 A 200 V 790 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB048RSM20STFTL1 RB048RSM20STFTL1 データシート 8 A 200 V 830 mV 200 V 230 nA 95 A + 175 C
RB048RSM20STL1 RB048RSM20STL1 データシート 8 A 200 V 830 mV 200 V 230 nA 95 A + 175 C
RB078RSM20STFTL1 RB078RSM20STFTL1 データシート 5 A 200 V 810 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB078RSM20STL1 RB078RSM20STL1 データシート 5 A 200 V 810 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB088RSM20STFTL1 RB088RSM20STFTL1 データシート 10 A 200 V 830 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB088RSM20STL1 RB088RSM20STL1 データシート 10 A 200 V 830 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
公開: 2025-06-16 | 更新済み: 2025-07-11