特徴
- 低オン抵抗
- 小型表面実装パッケージ
- 鉛フリーメッキ加工、RoHS準拠
- ハロゲン不使用
アプリケーション
- スイッチング
ラインナップ
市場アプリケーション
ON抵抗の改善
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| 部品番号 | データシート | 説明 | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース |
|---|---|---|---|---|---|
| UT6K3TCR1 | ![]() |
MOSFET DFN2020 2NCH 30V 5.5A | 30 V | 5.5 A | 42 mOhms |
| UT6J3TCR1 | ![]() |
MOSFET DFN2020 2PCH 20V 3A | 20 V | 2 A | 85 mOhms |
| UT6JB5TCR | ![]() |
MOSFET DFN2020 2PCH 40V 3.5A | 40 V | 3.5 A | 122 mOhms |
| UT6KE5TCR | ![]() |
MOSFET 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET | 100 V | 2 A | 207 mOhms |
| UT6JC5TCR | ![]() |
MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET | 60 V | 2.5 A | 280 mOhms |
公開: 2021-01-26
| 更新済み: 2023-09-07

