Semtech TDS2621LP過渡転流サプレッサ（TDS）
Semtech TDS2621LP過渡転流サプレッサ（TDS）は、高エネルギー電気オーバーストレス（EOS）保護を実現するように設計されており、標準のTVSデバイスに比べて優れたクランピングと温度特性が備わっています。Semtech TDS2621LPは、主な保護素子としてサージ定格FETを使用しています。EOSイベント中に、過渡電圧がデバイスの定格破壊電圧を超えて増加します。続いてFETは、スイッチをオンにして接地に過渡電流を伝導します。TDSクランピング電圧は、FETの極めて低いオン抵抗[RDS (ON)]のおかげで、定格ピークパルス電流範囲全体でほぼ一定になっています。最大ピークパルス電流でのさらなる低クランピング電圧によってTDSコンポーネントは、標準のTVSダイオードに比べて敏感な集積回路（IC）の保護に適しています。
TDS2621LP TDSは、電圧バスまたはデータラインを保護するように設計されており、26.4Vの最大動作電圧が備わっています。このシリーズは、最大24A（tp = 8/20μs）の高エネルギー過渡電流に定格されており、IEC 61000-4-5（RS = 42Ω、CS = 0.5μF）に準じた±1kVの一般的な工業電圧サージ規格を満たすために使用できます。小型DFN 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm 2-leadパッケージでご用意があるSemtech TDS2621LPは、従来のSMAJおよびSMBJパッケージデバイスに比べてボードスペースを大幅に節約しています。
特徴
- 高ESD耐電圧- IEC 61000-4-2に準拠した±20kV（接触）および±25kV（空中）
- IEC 61000-4-5に準拠した24A（tp = 8/20μs）、1kV（tp = 1.2/50μs、RS = 42Ω）の高ピークパルス電流能力
- 1つのI/Oまたは電力線を保護
- 最大動作電圧 ：26.4V
- ソリッドステート技術
- UL 94 V-0成形化合物難燃性等級
- 2-lead DFNパッケージ、1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS/WEEE準拠
アプリケーション
- USB Type-C®
- VBUSライン
- モノのインターネット（IoT）デバイス
仕様
- 840W最大ピークパルス電力（tp = 8/20μs）
- ピークパルス電流
- 24A最大（tP = 8/20µs）
- 1.3最大（tP = 10/1000µs）
- 26.4V（最大）逆方向スタンドオフ電圧
- 逆破壊電圧範囲：31V ～ 33.2V
- 0.6Vの標準順電圧
- 60nA最大逆漏れ電流、標準5nA
- 35V最高クランプ電圧、標準32.7V
- 32mΩ標準動的抵抗
- 86pF標準接合部容量
- 動作温度範囲: -40°C～+125°C
- ジャンクション温度範囲:-55°C～++150°C
機能ブロック図
公開: 2025-10-09
| 更新済み: 2025-10-16