STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611ゲートドライバ評価ボード
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611ゲートドライバ評価ボードは、STDRIVEG611を搭載しており、これは高速度のハーフブリッジゲートドライバで、高電圧・強化モードのGaN HEMTを駆動するために最適化されています。STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611ゲートドライバ評価ボードは、4x5mmのQFNパッケージでハードスイッチングトポロジーを完全にサポートします。特徴として、分離された高電流シンク/ソースゲートドライビングピン、統合されたLDO、低電圧保護、ブートストラップダイオード、スマートシャットダウンによる過電流保護、過熱保護、故障およびシャットダウンピン、さらにスタンバイモードを備えています。EVLSTDRIVEG611ボードは使いやすく、5mm x 6mmのQFNパッケージに搭載された、75mΩ(標準)、650VのEMode GaNスイッチであるSGT120R65ALを駆動するSTDRIVEG611の特性評価を迅速に行うことができます。オンボードのプログラム可能なデッドタイムジェネレーターと、マイクロコントローラなどの外部ロジックに電力を供給する3.3Vのリニア電圧レギュレータを搭載しています。最終的なアプリケーションに合わせてボードをカスタマイズできるよう、LINおよびHINの入力信号や単一のPWM信号など、余分なフットプリントも提供されています。
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611は、56mm x 70mmのサイズで、2層の2 Oz FR-4基板を使用しています。静止空気中での熱抵抗は23°C/W Rth(J‑A)(各GaNに対して46°C/W相当)であり、高出力アプリケーションの評価に最適です。
特徴
- 統合LDO、分離されたシンク/ソース、過電流保護、統合されたブートストラップダイオード、スタンバイ機能を備えたSTDRIVEG611 GaNゲートドライバを特長としたハーフブリッジトポロジ
- 標準抵抗値:75mΩ(650V EモードHEMT GaNを搭載)
- モータ制御アプリケーション向けに、調整可能なハードオンおよびハードオフのdV/dtを、標準に10V/nsに設定
- VCC 供給電圧:10.6V〜18V(標準12V)
- オンボードの調整可能なデッドタイムジェネレーターにより、単一のPWM信号をデッドタイムを組み込んだ独立したハイサイドおよびローサイド入力に変換
- 外部デッドタイムを使用した独立した入力も利用可能
- プログラム可能な過電流保護機能を備え、スマートシャットダウンは9.5Aに設定
- オプションの追加高電圧バルクコンデンサおよびブートストラップダイオード用のフットプリント
- オンボードレギュレータ:3.3V(外部回路供給用)
- RoHS準拠
アプリケーション
- 家電化製品、ポンプ、コンプレッサ用のモータドライバ
- ファクトリーオートメーション、サーボ、産業用ドライブ
- 電動バイク、電動工具
- クラスDオーディオアンプ
- DC/DCおよび共振コンバータ、PFC、バッテリ充電器、アダプタ
電源と信号接続
公開: 2024-11-04
| 更新済み: 2024-11-07
