STMicroelectronics L98GD8E 8チャネルMOSFETプリドライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) L98GD8E 8チャネルMOSFETプリドライバは、ローサイド、ハイサイド、ピークアンドホールド、およびHブリッジ負荷制御用に設定可能です。エンジニアは、12Vおよび48Vの乗用車、ならびに24Vの商用車の要件に適合するように設計しました。すべての出力はPWM制御が可能です。6つの出力で、安全関連の負荷を駆動できます。ユーザーは、専用のイネーブルピン(EN6)を必要とする安全関連負荷を駆動するために、1つの出力を割り当てることができます。

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) L98GD8Eは、2つの独立したHブリッジの制御が可能です。また、「ピーク・アンド・ホールド」制御戦略を必要とする最大2つの負荷を駆動することも可能です。ドライバは、短絡状態に対する出力保護機能を備えています。デバイスは、過電流が発生した場合に外部MOSを保護します。各出力は、バッテリへのショート、グラウンドへのショート、オープン負荷など、完全な診断情報を提供します。ユーザーは専用のSPIレジスタを通して、各出力の状態を常時監視できます。

外部トランジスタ1~8の電圧スルーレートは、オン時およびオフ時に制御され、EMI特性を改善します。安全性を向上させるため、DISピンとNDISピンを介して二重冗長な外部無効化ソースが利用可能です。このデバイスは、32ビットプロトコルを通じてSPIで設定可能です。

特徴

  • AEC-Q100認定
  • ISO21780に適合する設計
  • 48V、24V、12Vバッテリーシステムの適合性
  • 3.3Vおよび5V論理互換性I/O
  • 8チャンネル構成可能MOSFETプリドライバ
    • ハイサイド(NチャンネルとPチャンネルMOS)
    • ローサイド(NチャンネルMOS)
    • Hブリッジ(最大2個のHブリッジ)
    • ピークアンドホールド(2つの負荷)
  • 動作バッテリー電源電圧:3.8V~70V
  • 動作時のVDD電源電圧:4.5V~5.5V
  • EMI特性を改善するためのプログラム可能なゲート充電/放電電流
  • 個々の診断:
    • バッテリへの短絡
    • オープン負荷 接地への短絡
  • 柔軟性の高い過電流検出実装
    • 外部MOSドレイン・ソース間電圧のモニタリングが可能
    • 外部シャント抵抗器の電圧監視機能
    • 64個のプログラム可能な過電流しきい値は、各チャネルで独立して設定可能
    • 過電流の場合の超高速出力シャットダウン
  • Hブリッジ構成のための電流制限
  • 構成と診断に32ビットSPIプロトコルが利用可能
    • 診断読み取り中に故障が発生した場合でも、デバイスは故障をラッチします
    • デイジーチェーン動作
    • 過電圧に対するSDO保護
  • 安全機能
    • 2個の外部ピンによる冗長出力の高速スイッチオフ無効化
    • 論理演算用のビルトインセルフテスト(BIST)
    • VDD5過電圧コンパレータ用のHWSC(Hardware Self Check)
    • 設定可能な通信チェック(CC)ウォッチドッグタイマを利用可能
    • 双方向ピンによるフィードバックの無効化
    • 専用SPIレジスタによる高冗長出力モニタリング
  • バッテリ用10ビットADCとSPIによるダイ温度測定
  • 不足電圧/過電圧のVDD5モニタリング
  • 低電圧のためのVPS(バッテリ)モニタリング

アプリケーション

  • 車載用48Vアプリケーション
  • ローサイド、ハイサイド、ピークアンドホールド、およびHブリッジ負荷制御
  • リレー、モータ、およびすべての抵抗負荷・誘導負荷の駆動用に設計

ブロック図

ブロック図 - STMicroelectronics L98GD8E 8チャネルMOSFETプリドライバ
公開: 2026-05-26 | 更新済み: 2026-05-29