STMicroelectronics STGAP2GSNは、サーマルシャットダウンやUVLOなどの保護機能をエンハンスメントモードGaN FET向けに最適化されたレベルに統合し、設計の容易さ、高効率、信頼性の高いシステムを実現します。デュアル入力ピンにより、信号極性制御の選択と、コントローラの誤動作時の相互伝導を回避するためのハードウェアインターロック保護の実装が可能になります。入力から出力までの伝搬遅延の結果は45ns以内に収まり、高いPWM制御精度を実現します。 アイドル時の消費電力を減らすためのスタンバイモードあり。
特徴
- 最大1700Vの高電圧レール
- 2A/3Aソース/シンク@25°C、VH =6Vドライバ電流能力
- dV/dt過渡耐性:±100V/ns
- 45nsの入出力伝搬遅延
- 簡単なゲート駆動構成のための独立したシンクとソースのオプション
- GaNに最適化されたUVLO機能
- 最大15Vのゲート駆動電圧
- ヒステリシス付き3.3V、5V TTL/CMOS入力
- 温度過昇シャットダウン保護
- スタンバイ機能
- Narrow body SO-8パッケージ
アプリケーション
- 家電、ファクトリーオートメーション、工業ドライブ、ファン用モータードライバ
- 600V/1200Vインバータ
- 無線充電器
- UPS
- 電源装置
- DC/DCコンバータ
- 力率補正(PFC)
ブロック図
公開: 2023-05-05
| 更新済み: 2023-09-26

