STMicroelectronics 650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET
STMicroelectronics 650シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、エリア毎の非常に低いオン状態抵抗（RDS(on)）が特徴で、優れたスイッチング性能と組み合わされています。これよって、効率的な小型システムにすることができます。シリコンMOSFETに比べて、SiC MOSFETは、高温であっても領域あたりのオン状態抵抗が低くなっています。また、SiC MOSFETは、すべての温度範囲でのベストインクラスのIGBTに対する優れたスイッチング性能も特徴です。これによって、電子システムの電力熱設計を簡素化できます。
特徴
- PCBフォーム・ファクタ（簡素化された熱管理）の削減にとシステム信頼性向上つながる非常に高い温度処理能力（最高TJ = 200°C）
- さらなるコンパクトな設計（さらなる小型受動部品）をもたらす、スイッチング損失を大幅に削減（温度に対する最小変動）
- 低オン状態抵抗（650Vデバイス向け20mΩ typ. @ 25°Cおよび1200Vデバイス向け80mΩ typ. @ 25°C）によって、冷却要件が少ないためにさらなる高システム効率を実現
- シンプルな駆動（費用対効果の高いネットワーク駆動）
- 超高速で堅牢な真性ボディ・ダイオード（外部フリーホイーリング・ダイオードの必要性がないため、よりコンパクトなシステム）
アプリケーション
- Automotive
- Main inverters (electric traction)
- DC/DC converter for EVs/HEVs
- Onboard chargers (OBC)
- Switching
- Power supplies for renewable energy systems
- High frequency DC-DC converters
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SiC MOSFET範囲
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公開: 2019-01-16
| 更新済み: 2024-09-26