STMicroelectronics 650V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT
STMicroelectronics 60V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発しています。650V Mシリーズは最大100kHzの動作周波数を備えたアプリケーション用に、3A～150Aの最大コレクター電流を供給します。設計が最適化されており、カスタマイズされた内蔵の抗並列ダイオードでご利用いただけます。
特徴
- 6μs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10A,
- 30A (STGP30M65DF2, STGB30M65DF2, STGWA30M65DF2)
- Tight parameters distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery anti-parallel diode
アプリケーション
- Motor control
- UPS
- PFC
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Development Tools
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| 部品番号 | 説明 | データシート |
|---|---|---|
| STGYA120M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss |  |
| STGD6M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss | |
| STGP30M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | |
| STGP6M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss | |
| STGB15M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package | |
| STGD4M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | |
| STGWA50M65DF2AG | IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT | |
| STGB30M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | |
| STGW75M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss | |
| STGWA50M65DF2 | IGBT Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads | |
公開: 2015-07-02
| 更新済み: 2026-01-12