STMicroelectronics 車載グレード内部クランプIGBT

STMicroelectronics 車載グレード内部クランプIGBTは、高度なPowerMESH™技術を採用しており、自動車イグニッションシステムの過酷な環境でのコイル駆動を目的に最適化されています。これらのデバイスは、幅広い動作温度範囲での非常に低いオン状態電圧と非常に高いSCISエネルギー機能が特徴です。ESD保護ロジックレベル入力と統合ゲートレジスタに外部保護回路は不要です。

特徴

  • AEC-Q101 qualified
  • SCIS energy of 300mJ @ TJ = 25°C
  • Parts are 100% tested in SCIS
  • ESD gate-emitter protection
  • Gate-collector high voltage clamping
  • Logic level gate drive
  • Very low saturation voltage
  • High pulsed current capability
  • Gate and gate-emitter resistor

アプリケーション

  • Automotive ignition coil driver circuit

Block Diagram

ブロック図 - STMicroelectronics 車載グレード内部クランプIGBT
公開: 2017-10-10 | 更新済み: 2022-06-20