STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DGデモボード
STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DGデモボードは、STDRIVEG600ゲートドライバを150mΩ650V GaN HEMTと組み合わせたハーフブリッジ・トポロジのリファレンス設計を実現しています。STDRIVEG600は、GaN（窒化ガリウム）eHEMT（エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としたシングルチップ・ハーフブリッジ・ゲートドライバです。STDRIVEG600の高圧側は、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。
STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DGデモボードには、SO-16パッケージにあらかじめ取り付けられたSTDRIVEG600、およびPowerFLAT™パッケージ（Kelvinソース搭載）パッケージにあらかじめ取り付けられたGaNシステムGS-065-011-1-L 150mΩ 650V GaN HEMTが備わっています。また、オンボード・プログラマブル・デッドタイム発生器および3.3Vリニア電圧レギュレータも特徴で、マイクロコントローラのような外付けロジックコントローラに給電できます。
別途の入力信号や単一のPWM信号、オプションの外付けブートストラップダイオード、VCC用の別途の電源、PVCC、あるいはBOOTの使用、およびピーク電流モードトポロジのための低圧側シャント抵抗器の使用な、ど最終アプリケーションに適合するようにボードをカスタマイズできるように予備のフットプリントがあります。
特徴
- STDRIVEG600ゲートドライバに基づいたハーフブリッジトポロジ
- GaN Systems GS-065-011-1-L下部側冷却型150mΩ650V GaN HEMT
- 5mm x 6mm PowerFLATパッケージ（Kelvinソース搭載）
- ST715M33R 3.3V LDOリニアレギュレータ
- HVバス（最高500V
- GaN VGS定格によって制限されている、4.75V～6.5V VCCゲートドライバ電源電圧
- 独立した高圧側および低圧側のデッドタイム内でシングルPWM信号を変換するオンボード調整式デッドタイム発生器
- 外部デッドタイムを活用したオプションの分離入力
- 25°C/W接合部-周囲間熱抵抗（大電力トポロジ向け）
- 高周波コネクタ（ゲートGaNパワートランジスタ監視用）
- オプションの低圧側シャント
- 50mm x 70mm FR-4 PCB
- RoHS準拠
対応デバイス
STMicroelectronics STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ
エンハンスメントモードGaN FETまたはNチャンネルパワーMOSFET向けのシングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバです。
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ボードレイアウト
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汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMのための幅広いドロップイン交換製品です。
公開: 2021-07-21
| 更新済み: 2022-03-11