STMicroelectronics EVSTGAP2SICSANCデモボード

STMicroelectronics   EVSTGAP2SICSANCデモボードは、STGAP2SICSANC絶縁シングル・ゲート・ドライバ用に設計されており、最大520Vの定格電圧でハーフブリッジ電力段を駆動します。このデモボードには、負のゲート駆動が実装されており、オンボード絶縁DC-DCコンバータを使用して、SIC MOSFETに最適化された駆動電圧で作動できます。EVSTGAP2SICSACボードの部品は、様々な条件のアプリケーションでドライバの性能を簡単に評価できるように、アクセスと変更が容易になっています。このデモボードは、SIC MOSFET電力スイッチ付き産業用アプリケーションのモーター・ドライバなど、 中・高出力のインバータ・アプリケーションに最適です。

特徴

  • ハーフ・ブリッジ構成、最大520Vの高電圧レール
  • 650V、58mΩ標準、30A SCT055H65G3AG 第3世代 SiC MOSFET
  • 内蔵のVDD ロジック電源。3.3VまたはVAUX = 5Vを生成
  • 負のゲート駆動
  • 駆動電圧構成のジャンパ選択:17V/0V、17V/-3V、19V/0V、19V/-3V
回路図 - STMicroelectronics EVSTGAP2SICSANCデモボード
公開: 2023-07-14 | 更新済み: 2023-07-31