STMicroelectronics FERD電界効果整流器

STMicroelectronics電界効果整流器ダイオード（FERD）はトレードオフ・アップグレードに焦点を当てた新しいバージョンで設計を改善します。FERDの設計によって、電圧降下での、また漏洩電流の温度係数での低下の双方が可能になりました。その結果、暴走時の安全マージンが改善され、おそらくショットキー・バリア・ダイオードの通常の安全マージンより上となります。対象となるアプリケーションとその電圧に応じて、開発者は、順方向電圧降下（VF）および漏洩電流（IR）に関する最良の妥協点を選択できるようになりました。部品番号の'U’は、非常に低い順方向電圧降下（VF）を示します。‘L’は、低順方向電圧降下（VF）を示します。‘M’ および‘SM’は、最適化された漏洩電流（IR)での中程度の順方向電圧降下を示します。‘H’ and ‘S’は、高温での低漏洩電流を示します（低IR）。