STMicroelectronics H6/F6車載用PチャンネルMOSFET
STMicroelectronics H6/F6車載用PチャンネルMOSFETは、STripFET™ H6/F6技術を使用して開発されており、新しいトレンチゲート構造が備わっています。結果として生じるパワーMOSFETは、全てのパッケージで非常に低いRDS（オン）を示します。
特徴
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Low on-resistance
- Low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
仕様
- -40VDS
- 15mΩ maximum RDS(on)
- -50A ID
公開: 2015-08-24
| 更新済み: 2022-03-11