STMicroelectronics 650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT
STMicroelectronics 650V HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発されたIGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTは最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、および1.6V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。
The HB2 series is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, and in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
特徴
- Maximum junction temperature:
- TJ = 175°C
- High-speed switching series
- Minimized tail current
- Very low saturation voltage
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery anti-parallel diode
- Lead-free package
アプリケーション
- Photovoltaic inverters
- High frequency converters
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STMicroelectronics IGBT V Series
Developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure.
製品カタログ
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STMicroelectronics 標準製品
汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMのための幅広いドロップイン交換製品です。
公開: 2014-03-31
| 更新済み: 2026-01-12