STMicroelectronics HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT
STMicroelectronics HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTには、高度な独自のトレンチゲートとフィールドストップ構造体が使用されています。 これらの新しいHBデバイスは、伝導性とスイッチング損失を妥協し、周波数コンバーターの効率性を最大化します。 ややプラスのVCE(sat)温度係数と非常に厳しいパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。
特徴
- Designed for soft commutation only
- Maximum junction temperature: TJ = +175°C
- High-speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.55V (typ.) at IC = 30A
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Lead-free package
- Very fast soft recovery antiparallel diode
アプリケーション
- Microwave oven
- Resonant converters
- Photovoltaic inverters
- High frequency converters
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| 部品番号 | データシート | パッケージ/ケース | 取り付け様式 | コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 |
|---|---|---|---|---|
| STGP30H60DFB |  |
TO-220-3 | Through Hole | 600 V |
| STGB30H60DFB | |
D2PAK-3 | SMD/SMT | 600 V |
公開: 2016-04-21
| 更新済み: 2023-10-17