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STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

特徴

  • 優れた性能指標（Figure of Merit: RDS（on） x Qg）
  • 650V 定格における優れた RDS（on）
  • 低Qg特性
  • 逆ダイオードdv/dtとMOSFET dv/dtの高耐久性
  • 高電力レベル
  • 電力密度の向上と伝導損失の低減
  • 高効率と低スイッチング電力損失
  • 高速スイッチング
  • さらに小型の設計を可能にする高い頑丈性と信頼性

アプリケーション

  • テレコム用サーバーとデータセンター
  • 5G発電所
  • フラットTVパネルとPC SMPS
  • 高速チャージャー
  • ソーラー・マイクロインバータ

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部品番号 データシート 取り付け様式 Id - 連続ドレイン電流 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失
ST8L65N065DM9 ST8L65N065DM9 データシート SMD/SMT 44 A 4.5 V 78 nC 223 W
ST8L65N050DM9 ST8L65N050DM9 データシート SMD/SMT 55 A 4.5 V 107 nC 167 W
STWA60N035M9 STWA60N035M9 データシート Through Hole 62 A 4.2 V 112 nC 321 mW
STP60N043DM9 STP60N043DM9 データシート Through Hole 56 A 4.5 V 78.6 nC 245 W
STP65N045M9 STP65N045M9 データシート Through Hole 55 A 4.2 V 80 nC 245 W
STH65N050DM9-7AG STH65N050DM9-7AG データシート SMD/SMT 51 A 4.5 V 100 nC 266 W
STHU65N050DM9AG STHU65N050DM9AG データシート SMD/SMT 51 A 4.5 V 100 nC 245 W
ST8L60N065DM9 ST8L60N065DM9 データシート SMD/SMT 39 A 4.5 V 66 nC 202 W
ST8L65N044M9 ST8L65N044M9 データシート SMD/SMT 58 A 4.2 V 110 nC 166 W
STH60N099DM9-2AG STH60N099DM9-2AG データシート SMD/SMT 27 A 4.5 V 44 nC 179 W
公開: 2023-01-23 | 更新済み: 2026-01-26