STMicroelectronics Sシリーズトレンチ・ゲート・フィールド・ストップ

STMicroelectronics Sシリーズ・トレンチ・ゲート・フィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチ・ゲート・フィールドストップ構造を使用して開発されました。これらのSシリーズは1200V IGBTは、低周波数産業システム効率を最大化するようにカスタマイズされています。V_CE(sat)の正温度係数に関して、パラメータ分布のばらつきが非常に小さいため、耐電力特性を向上させる並列動作が可能です。