STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFETは、車載用NチャネルMDmesh DM6ハーフブリッジトポロジでパワーMOSFETを組み合わせており、650Vのブロッキング電圧を提供します。このパワーMOSFETは、AQG 324認定済みおよび、ACEPACK SMITを採用することで低パッケージインダクタンスを実現しています。  SH63N65DM6AGパワーMOSFETは、非常に少ないスイッチングエネルギー、低熱抵抗、3.4kV_rms/分絶縁定格が特長です。このパワーMOSFETは、ダイレクト・ボンド・カッパー（DBC）基板により、断熱された上面サーマルパッドと組み合わせて低い熱抵抗を実現します。  SH63N65DM6AG MOSFETのパッケージは柔軟な設計が可能なため、内蔵パワースイッチをさまざまに組み合わせてフェーズレッグ、ブースト、シングルスイッチなど複数の構成を実現できます。このパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適です。