STMicroelectronics STD65N160M9 NチャネルパワーMOSFET

STMicroelectronics STD65N160M9 NチャネルパワーMOSFETは、スーパージャンクションMDmesh M9技術に基づいています。MOSFETは、面積あたりのR_DS(on)が極めて低い中/高電圧に適しています。シリコンベースのM9技術は、マルチドレイン製造プロセスのメリットを享受しており、強化されたデバイス構造が可能になります。この結果としてもたらされる製品は、あらゆるシリコンベースの高速スイッチング ・スーパージャンクション・パワーMOSFETの中でもオン抵抗が最低レベルでゲート電荷値が低い製品の1つです。これにより、優れた電力密度と際立った効率性を必要とするアプリケーションに特に適しています。