STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HBシリーズIGBT

STMicroelectronics STGSH80HB65DAG650V80AHB シリーズ IGBT は、コンパクトで堅牢な表面実装パッケージに 2 つの IGBT とダイオードを備えています。STMicroelectronics STGSH80HB65DAGIGBT はソフト整流用に最適化されており、伝導損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。各スイッチには、低ドロップ・フリーホイールダイオードが搭載されており、効率的な共振ソフトスイッチング・アプリケーションに最適です。

特徴

  • AQG 324認定
  • 高速スイッチングシリーズ
  • TJ = 175°C最高接合部温度
  • 低VCE (sat) = 1.7V(標準)@ IC = 80A
  • テール電流を最小化
  • 非常に小さいパラメータ分布のばらつき
  • DBC基板のおかげによる低熱抵抗
  • 正の温度VCE (sat) 係数
  • ソフトで高速のリカバリ逆並列ダイオード
  • 3.4kVrms/分の絶縁定格

アプリケーション

  • DC/DCコンバータ(EV/HEV用)
  • オンボード充電器 (OBC)

スキーム図とピンの説明

回路図 - STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HBシリーズIGBT

ビデオ

公開: 2023-10-24 | 更新済み: 2024-01-21