STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2パワーMOSFET

STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2パワーMOSFETは、ON抵抗が低く最適化されたスイッチング特性が特徴のNチャンネルパワーMOSFETです。このパワーMOSFETは、MDmesh M2テクノロジーを活用して開発されています。STN6N60M2 MOSFETは、ゲート電荷が極めて低く出力容量(Coss)に優れた特性があります。このパワーMOSFETは、ツェナー保護およびアバランシェ試験が100%完了しています。STN6N60M2 MOSFETは、スイッチング・アプリケーションに最適です。

特徴

  • 極めて低いゲート電荷
  • 優れた出力容量(Coss)プロファイル
  • 100%アバランシェ試験済み
  • ツェナー保護

仕様

  • ±25VGSゲートソース電圧
  • 5.5Aドレイン電流 @ TC = 25°C
  • 3.5Aドレイン電流 @ TC = 100°C
  • 8Aドレイン電流(パルス)
  • 6W総電力散逸
  • -55°C~150°C動作接合部温度範囲

概要

STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2パワーMOSFET
公開: 2020-08-10 | 更新済み: 2025-01-14