STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2パワーMOSFET
STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2パワーMOSFETは、ON抵抗が低く最適化されたスイッチング特性が特徴のNチャンネルパワーMOSFETです。このパワーMOSFETは、MDmesh M2テクノロジーを活用して開発されています。STN6N60M2 MOSFETは、ゲート電荷が極めて低く出力容量(Coss)に優れた特性があります。このパワーMOSFETは、ツェナー保護およびアバランシェ試験が100%完了しています。STN6N60M2 MOSFETは、スイッチング・アプリケーションに最適です。特徴
- 極めて低いゲート電荷
- 優れた出力容量(Coss)プロファイル
- 100%アバランシェ試験済み
- ツェナー保護
仕様
- ±25VGSゲートソース電圧
- 5.5Aドレイン電流 @ TC = 25°C
- 3.5Aドレイン電流 @ TC = 100°C
- 8Aドレイン電流(パルス)
- 6W総電力散逸
- -55°C~150°C動作接合部温度範囲
概要
公開: 2020-08-10
| 更新済み: 2025-01-14
