STMicroelectronics STPSCショットキー・シリコンカーバイド・ダイオード

STMicroelectronicsショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードには、標準的なシリコンに比べてSiCの優れた物理特性が活用されており、ダイナミック特性が4倍良好で、順方向電圧(VF)が15%低下しています。この低逆リカバリ特性によってSTのシリコンカーバイド・ダイオードは、SMPSアプリケーションでの省エネ、および太陽エネルギー変換、EVまたはHEV充電ステーションなどの新興領域、ならびに溶接装置やエアコンといったその他のアプリケーションにおいて、主要な貢献をしています。STMicroelectronics SiCの製品ポートフォリオには、20A、600Vダイオードが含まれており、ハロゲンフリーTO-247パッケージに格納されています。また、4~12アンペア、スルーホール、SMDパッケージに拡張されています。また、6A、1200Vデバイス、650Vシリーズの第2世代の製品もご用意があります。

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STMicroelectronics STPSCショットキー・シリコンカーバイド・ダイオード
公開: 2013-03-07 | 更新済み: 2026-01-19